Дискретные полупроводниковые приборы Транзисторы Транзисторные пары
|
Transistor pair Y Surface-mounted transistor pair with integrated bias resistors. Ptot:200 mW max VCE:50 V IC:100 mA max Package:SOT363-6
Цена: 20.61 руб.
|
|
|
| ||
|
Transistor pair Y Surface-mounted transistor pair with integrated bias resistors. Ptot:200 mW max VCE:50 V IC:100 mA max Package:SOT363-6
Цена: 20.61 руб.
|
|
|
| ||
|
Пара МОП-транзисторов Очень быстрая транзисторная пара для синхронных выпрямителей, схем управления электродвигателями и источников питания. Транзисторы попарно помещены в корпус SO8, каждый корпус допускает максимальную рассеиваемую мощность 2 Вт и температуру кристалла до 150 °C.Доступны следующие варианты:— PHN210, 2 N канала— PHP225, 2 P канала— PHC21025, 1 N и 1 P канал
Цена: 69.80 руб.
|
|
|
| ||
|
Пара МОП-транзисторов Очень быстрая транзисторная пара для синхронных выпрямителей, схем управления электродвигателями и источников питания. Транзисторы попарно помещены в корпус SO8, каждый корпус допускает максимальную рассеиваемую мощность 2 Вт и температуру кристалла до 150 °C.Доступны следующие варианты:— PHN210, 2 N канала— PHP225, 2 P канала— PHC21025, 1 N и 1 P канал
Цена: 69.80 руб.
|
|
|
| ||
|
Подобранная пара транзисторов Два идентичных транзистора в одном корпусе. Превосходная линейность усиления до 10 мА. Шум/1 КГц6 нВ/√Гц ВCE:45 В IC:25 мА макс. Напряжение смещения.40 μВ тип. Коэффициент усиления:500 миним. Температурный диапазон:от −55 до +125°C Корпус:TO78
Цена: 914.74 руб.
|
|
|
| ||
|
Подобранная пара транзисторов Два идентичных транзистора в одном корпусе. Превосходная линейность усиления до 10 мА. Шум/1 КГц6 нВ/√Гц ВCE:45 В IC:25 мА макс. Напряжение смещения.40 μВ тип. Коэффициент усиления:500 миним. Температурный диапазон:от −55 до +125°C Корпус:TO78
Цена: 914.74 руб.
|
|
|
| ||
|
Подобранная пара транзисторов Y Пары транзисторов: NPN, PNP или NPN и PNP. Ptot:200 мВт макс. ВCE:50 В IC:200 мА макс. hFE:200/450 fT:100 МГц миним. Корпус:SOT363-6
Цена: 16.61 руб.
|
|
|
| ||
|
Подобранная пара транзисторов Y Пары транзисторов: NPN, PNP или NPN и PNP. Ptot:200 мВт макс. ВCE:50 В IC:200 мА макс. hFE:200/450 fT:100 МГц миним. Корпус:SOT363-6
Цена: 16.61 руб.
|
|
|
| ||
|
Подобранная пара транзисторов, малошумящая Вид сверхуСборки содержат два идентичных транзистора. Оптимизированы для низкого уровня шума (1 nV/√Hz макс.) и малому RB (0,5 Ω макс.) и предназначены для малошумящих усилителей.Разброс коэффициента усиления в паре - 4% максимум. MAT 02MAT 03 Полярность:NPN+NPNPNP+PNP ВCEO (макс.):40 В36 В IC (макс.):20 мА20 мА Напряжение смещения.150 μВ150 μВ Коэффициент усиления (Ic=1mA):40080 Ptot (макс.):500 мВт500 мВт Корпус:6 выводов, TO786 выводов, TO78
Цена: 958.89 руб.
|
|
|
| ||
|
Подобранная пара транзисторов, малошумящая Вид сверхуСборки содержат два идентичных транзистора. Оптимизированы для низкого уровня шума (1 nV/√Hz макс.) и малому RB (0,5 Ω макс.) и предназначены для малошумящих усилителей.Разброс коэффициента усиления в паре - 4% максимум. MAT 02MAT 03 Полярность:NPN+NPNPNP+PNP ВCEO (макс.):40 В36 В IC (макс.):20 мА20 мА Напряжение смещения.150 μВ150 μВ Коэффициент усиления (Ic=1mA):40080 Ptot (макс.):500 мВт500 мВт Корпус:6 выводов, TO786 выводов, TO78
Цена: 958.89 руб.
|
|
|
| ||
|
Транзисторная матрица Сборка содержит 5 NPN транзисторов общего применения для устройств, работающих в полосе от 0 до 120 МГц. Ptot:300 мВт/транзистор 750 мВт/корпус (5 транзисторов) VCE:15 В IC:50 мА макс. hFE:100 тип при 10 мА Диапазон температур.:от −40 до +85 °C
Цена: 40.57 руб.
|
|
|
| ||
|
Транзисторная матрица Сборка содержит 5 NPN транзисторов общего применения для устройств, работающих в полосе от 0 до 120 МГц. Ptot:300 мВт/транзистор 750 мВт/корпус (5 транзисторов) VCE:15 В IC:50 мА макс. hFE:100 тип при 10 мА Диапазон температур.:от −40 до +85 °C
Цена: 40.57 руб.
|
|
|
| ||
| |||||||||||||||||||||||||
